Кремниевая эпитаксиально-планарная диодная матрица 2ДC628А

Артикул:
9777
Производитель:
ООО «Транзистор»
Наличие на складе:
Уточняйте у менеджера
Цена по-запросу
Под заказ

Кремниевая эпитаксиально-планарная импульсная диодная матрица полупроводниковая (ДМП) 2ДС628А в металлокерамическом корпусе, предназначенная для работы в аппаратуре специального назначения. Диапазон рабочих температур: от - 60 до + 125 C. Обозначение технических условий: дР3.454.001 ТУ. Корпусное исполнение: металлокерамический корпус 402.12-2.

Технические характеристики
Наименование Буквенное обозначение Норма
не менее не более
Постоянный обратный ток при Uобр= 50 В, мкА Iобр   5
Постоянное прямое напряжение при Iпр = 300 мА, В Uпр 0,95 1,25
Время обратного восстановления диода, нс, (Iпр = 300 мА, Uобр,и = 30 В, Iобр.отсч = 10 мА, R = 1 кОм) tвос,обр   50
Общая емкость диодов ДМП, замеряемая между выводами 01 (12) и 02 или 10 (11) и 02 при закороченных выводах 02 09 ДМП и нулевом смещении, пФ СД   32
Похожие товары
Цена по запросу
Под заказ
Цена по запросу
Под заказ
Цена по запросу
Под заказ
Цена по запросу
Под заказ
Цена по запросу
Под заказ

© 2025 TEXNOGAZ