Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т610А

Артикул:
9809
Производитель:
ООО «Транзистор»
Наличие на складе:
Уточняйте у менеджера
Цена по-запросу
Под заказ

Сверхвысокочастотный n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор "2Т610А" в металлическом корпусе. Предназначен для использования в аппаратуре связи и других радиотехнических устройствах специального применения. Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 125 С. Обозначение технических условий - Я53.365.009 ТУ. Корпусное исполнение - металлический корпус КТ-16-2.

Технические характеристики
Параметры Буквенное обозначение Ед. изм. Значение
Напряжение коллектор-база Uкб max В 26
Напряжение коллектор-эмиттер (Rбэ=10кОм) Uкэ max В 26
Напряжение эмиттер-база Uэб max В 4
Постоянный ток коллектора Iк max мА 300
Температура перехода Тj С 150
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора Рк max Вт 1,5
Похожие товары
Цена по запросу
Под заказ
Цена по запросу
Под заказ
Цена по запросу
Под заказ
Цена по запросу
Под заказ

© 2025 TEXNOGAZ